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J-GLOBAL ID：200902256099032657   Reference number：03A0284503

HfO₂ Gate Dielectrics Deposited via Tetrakis Diethylamido Hafnium

テトラキスジエチルアミドハフニウムを経由して析出したHfO₂ゲート誘電体

Author (9)： SCHAEFFER J (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  EDWARDS N V (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  LIU R (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  ROAN D (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  HRADSKY B (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  GREGORY R (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  KULIK J (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  DUDA E (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  VOIGHT S (Motorola, Inc., Texas, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 150  Issue： 4  Page： F67-F74  Publication year： Apr. 2003 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： organohafnium compound ,...
Semi thesaurus term： organic metal chemistry gaseous phase growth method

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JST classification (4)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Solid-gos interface in general.  (CB12041H) ,  Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Tetrakis(diethylamino) hafnium

Terms in the title (3)： 析出 ,  HfO2 ,  ゲート誘電体