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J-GLOBAL ID：200902256633103735   Reference number：03A0767257

Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen

数%の酸素を組み込んだ多結晶InNに関する光学バンドギャップの拡大

Author (7)： YOSHIMOTO M (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  YAMAMOTO H (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HUANG W (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HARIMA H (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  SARAIE J (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  CHAYAHARA A (AIST Kansai, Osaka, JPN) ,  HORINO Y (AIST Kansai, Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 17  Page： 3480-3482  Publication year： Oct. 27, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (5)： 酸素 ,  多結晶 ,  InN ,  光学バンドギャップ ,  拡大