Art

J-GLOBAL ID：200902257225082629   Reference number：04A0384741

Radiation Detectors made of Compound Semiconductor InSb

化合物半導体InSbを用いた放射線検出器

Author (6)： KANNO IKUO (京大 大学院工学研究科) ,  HISHIKI SHIGEOMI (京大 大学院工学研究科) ,  SUGIURA OSAMU (東京工大 大学院理工学研究科) ,  MURASE YASUHIRO (東京工大 大学院理工学研究科) ,  NAKAMURA TATSUYA (原研) ,  KATAGIRI MASAKI (原研)
Material： 放射線  (Ionizing Radiation)
Volume： 30  Issue： 1  Page： 9-18  Publication year： Jan. 2004 
JST Material Number： S0997A  ISSN： 0285-3604  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium antimonide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0384741&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0997A") }}

JST classification (1)： Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Reference (5)：

• MCHARRIS, Wm. C. Nucl. Instrum. Methods. 1986, A242, 373
• GORLDIE, D. J. Nucl. Instrum. Methods. 1994, A344, 592
• GAITSKELL, R. J. Nucl. Instrum. Methods. 1996, A370, 250
• KANNO, I. Rev. Sci. Instrum. 2002, 73, 2533-2536
• KANNO, I. Rev. Sci. Instrum. 2003, 74, 3968-3973

Terms in the title (3)： 化合物半導体 ,  InSb ,  放射線検出器