Art

J-GLOBAL ID：200902257688231020   Reference number：03A0724014

Ultraviolet-enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure

n-ZnO/p-Si構造を用いた紫外領域強化フォトダイオード

Author (3)： JEONG I-S (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM J H (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  IM S (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 14  Page： 2946-2948  Publication year： Oct. 06, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Terms in the title (5)： ZnO ,  Si ,  紫外領域 ,  強化 ,  フォトダイオード