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J-GLOBAL ID：200902258006467392   Reference number：08A0781505

Back-gate ZnO nanowire field-effect transistors each with a top Ω shaped Au contact

トップΩ形状AuコンタクトをもつバックゲートZnOナノワイアー電界効果トランジスタ

Author (6)： YANG W. Q. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  DAI L. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  MA R. M. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  LIU C. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  SUN T. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  QIN G. G. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 93  Issue： 3  Page： 033102  Publication year： Jul. 21, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  compound semiconductor ,  *nanowire ,  *MISFET ,  vapor phase growth ,  *Gold ,  *ohmic contact

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： トップ ,  Au ,  コンタクト ,  バックゲート ,  ZnO ,  ナノワイアー ,  電界効果トランジスタ