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J-GLOBAL ID：200902258880711538   Reference number：09A0458580

4H-SiC Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Low On-Resistance

低オン抵抗の4H-SiCトレンチ酸化金属半導体電界効果トランジスタ

Author (5)： NAKANO Yuki (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  MUKAI Toshikazu (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA Ryota (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA Takashi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  KAMISAWA Akira (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 4,Issue 2  Page： 04C100.1-04C100.4  Publication year： Apr. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,  *MOSFET ,  sulfur fluoride ,  plasma etching ,  crystal face ,  electric current ,  *performance

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (2)：

• H. Nakao, H. Mikami, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki: Mater. Sci. Forum 527-529(2006)1293.
• H. Yano, H. Nakao, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki: Mater. Sci. Forum 556-557(2007)807.

Terms in the title (4)： オン抵抗 ,  トレンチ ,  酸化 ,  金属半導体電界効果トランジスタ