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J-GLOBAL ID：200902259649692756   Reference number：08A0943385

nc-Si MOS構造冷陰極アレイの電子放射特性

Author (7)： SHIMAWAKI HIDETAKA (八戸工大 大学院) ,  KIDA YO (八戸工大 大学院) ,  NEO YOICHIRO (静大 電研) ,  MIMURA HIDENORI (静大 電研) ,  MURAKAMI KATSUHISA (阪大 極限セ) ,  WAKAYA FUJIO (阪大 極限セ) ,  TAKAI MIKIO (阪大 極限セ)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 69th  Issue： 2  Page： 632  Publication year： Sep. 02, 2008 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nano crystal ,  *MOS structure ,  *cathode ,  *electron emission ,  *tunnel effect ,  array ,  work function
Semi thesaurus term： *cold cathode

JST classification (2)： Thermoionic emission and field emission  (BM09020S) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (7)： NC ,  Si ,  MOS構造 ,  冷陰極 ,  アレイ ,  電子 ,  放射特性