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J-GLOBAL ID：200902260976762928   Reference number：03A0547794

Improvement in retention time of metal-ferroelectric-metal- insulator-semiconductor structures using MgO doped Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ insulator layer

MgOドープBa_0.7Sr_0.3TiO₃絶縁層を用いた金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体構造における保持時間の改善

Author (2)： TSENG T Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE S Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 5  Page： 981-983  Publication year： Aug. 04, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,...
Semi thesaurus term： 強誘電体メモリ ,...

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JST classification (3)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： MgO ,  ドープ ,  絶縁層 ,  金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体構造 ,  保持時間