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J-GLOBAL ID：200902261659801841   Reference number：04A0211793

X-Ray Topographic Observations of Minute Lattice Distortion near the Surface of (100) Silicon Crystals

Si結晶(100)表面近傍での微細格子歪に関するX線トポグラフィー観察

Author (4)： FUKUMORI T (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  FUTAGAMI K (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  SAKAMOTO M (Asahi Kasei Microsystem Kyushu Co., Tokyo, JPN) ,  HIROOKA S (Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 43  Issue： 1  Page： 385-388  Publication year： Jan. 15, 2004 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor ,...
Semi thesaurus term： Berg-Barrett法

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JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Reference (16)：

• 1) J. B. Newkirk: Trans. Metall. Soc. AIME 215 (1959) 483.
• 2) A. P. L. Turner, T. Vreeland, Jr. and D. P. Poppe: Acta Cryst. A 24 (1968) 452.
• 3) G. A. Rozgonyi and S. E. Haszko: J. Electrochem. Soc. 117 (1970) 1562.
• 4) M. Yoshimatsu and K. Kohra: J. Phys. Soc. Jpn. 15 (1960) 1760.
• 5) F. Guiberteau and F. L. Cumbrera: J. Appl. Cryst. 27 (1994) 406.

Terms in the title (6)： Si結晶 ,  近傍 ,  微細 ,  格子歪 ,  X線トポグラフィー ,  観察