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J-GLOBAL ID：200902262847627650   Reference number：03A0563693

First-Principles Calculation of the Dyanamics of Nitrogen on the SiC(0001) Surface during the Epitaxial Growth of GaN(0001)

GaN(0001)のエピタキシャル成長中のSiC(0001)上の窒素の動力学の第一原理計算

Author (3)： ISHII A (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  KOYAMA S (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  AISAKA T (Tottori Univ., Tottori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 7B  Page： 4636-4638  Publication year： Jul. 30, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Electron theory of adsorption  (CB12042Y) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (20)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) R. F. Davis, Z. Sitar and B. E. Williams: J. Mat. Sci. Eng. B1 (1988) 77.
• 3) R. F. Davis: Proc. IEEE, 79 (1991) 702.
• 4) S. Strite and H. Morkoc: J. Vac. Sci. Technol. B10 (1992) 1237.
• 5) M. J. Paisley and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 127 (1993) 136.

Terms in the title (6)： GaN ,  エピタキシャル成長 ,  SiC ,  窒素 ,  動力学 ,  第一原理計算