MOVPE-GaN上にNaフラックスを用いて成長したGaNの微細構造・光学特性評価

IMURA MASATAKA; SANO TOMOAKI; NITTA SHUGO; KAMIYAMA SATOSHI; AMANO HIROSHI; AKASAKI ISAMU; IWAHASHI TOMOYA; MORISHITA MASANORI; SASAKI TAKATOMO

Art

J-GLOBAL ID：200902264424110433 Reference number：03A0300731

MOVPE-GaN上にNaフラックスを用いて成長したGaNの微細構造・光学特性評価

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Volume： 50th Issue： 1 Page： 406 Publication year： Mar. 27, 2003
JST Material Number： Y0054A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Crystal growth of semiconductors

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