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J-GLOBAL ID：200902265524848924   Reference number：09A1243747

Monolayer graphene growth on sputtered thin film platinum

スパッタ薄膜白金上の単原子層グラフェン成長

Author (4)： KANG Byung Jin (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Sci. Road, Yuseong, Daejeon 305-701, KOR) ,  MUN Jeong Hun (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Sci. Road, Yuseong, Daejeon 305-701, KOR) ,  HWANG Chan Yong (Center for Advanced Instrumentation, Korea Res. Inst. of Standards and Sci. (KRISS), 209 Gajeong Road, Yuseong ...) ,  CHO Byung Jin (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Sci. Road, Yuseong, Daejeon 305-701, KOR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 106  Issue： 10  Page： 104309  Publication year： Nov. 15, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Graphite ,  *monolayer ,  thermal chemical vapor deposition ,  wafer ,  semiconductor material ,  sputtered deposition ,  Platinum ,  surface roughness ,  solid solubility ,  homogeneity ,  thin film growth ,  *graphene ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (6)： スパッタ ,  薄膜 ,  白金 ,  単原子層 ,  グラフェン ,  成長