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J-GLOBAL ID：200902266101697187   Reference number：07A0792753

InP/InGaAs Hot Electron Transistors with Insulated Gate

絶縁ゲートのあるInP/InGaAsホットエレクトロントランジスタ

Author (10)： SUWA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Takashi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HINO Takahiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SAITO Hisashi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OONO Masaya (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 46  Issue： 25-28  Page： L617-L619  Publication year： Jul. 25, 2007 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： mesa structure ,...
Semi thesaurus term： ホットエレクトロントランジスタ

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 絶縁 ,  ゲート ,  InP ,  InGaAs ,  ホットエレクトロントランジスタ