Art

J-GLOBAL ID：200902268298148034   Reference number：06A0072530

Ferroelectric Polymer Langmuir-Blodgett Films for Nonvolatile Memory Applications

不揮発性メモリに適用する強誘電性ポリマLangmuir-Blodgett薄膜

Author (4)： DUCHARME Stephen (Univ. Nebraska, NE, USA) ,  REECE Timothy J. (Univ. Nebraska, NE, USA) ,  OTHON Christina M. (Univ. Nebraska, NE, USA) ,  RANNOW R. K. (Hewlett-Packard Corp., OR, USA)
Material： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Trans Device Mater Reliab)
Volume： 5  Issue： 4  Page： 720-735  Publication year： Dec. 2005 
JST Material Number： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： VDF-TrFE ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0072530&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1320A") }}

JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (4)： 不揮発性メモリ ,  強誘電性 ,  ポリマ ,  薄膜