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J-GLOBAL ID：200902268617852777   Reference number：08A0372847

Scattering of 300K effusive D₂ beams from the H/Si(100) surface

H/Si(100)表面からの300K流出D₂ビームの散乱

Author (5)： UENO S. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NARITA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KHAN A.r. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KIHARA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NAMIKI A. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 602  Issue： 8  Page： 1585-1588  Publication year： Apr. 15, 2008 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hydrogenation ,  *silicon ,  *gas-solid interface ,  *deuterium ,  *runoff ,  *molecular beam ,  *scattering ,  angular distribution ,  velocity distribution
Semi thesaurus term： angular distribution

JST classification (2)： Solid-gos interface in general.  (CB12041H) ,  Nonmetallic compounds  (CD01070R)

Terms in the title (4)： Si ,  流出 ,  ビーム ,  散乱