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J-GLOBAL ID：200902268754266710   Reference number：07A0280733

Photoluminescence characterization of Zn1-xMgxO epitaxial thin films grown on ZnO by radical source molecular beam epitaxy

ZnO上にラジカル源MBE成長させたZn1-xMgxOエピタクシー薄膜の光ルミネセンス特性化

Author (8)： SHIBATA H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  TAMPO H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  MATSUBARA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  YAMADA A. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SAKURAI K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  ISHIZUKA S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  NIKI S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SAKAI M. (Fac. of Engineering, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 90  Issue： 12  Page： 124104-124104-3  Publication year： Mar. 19, 2007 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： ZnO ,  ラジカル ,  MBE成長 ,  エピタクシー ,  薄膜 ,  光ルミネセンス ,  特性化