Art

J-GLOBAL ID：200902270979983122   Reference number：04A0726877

Si diffusion in p-GaN

p-GaN中のSi拡散

Author (5)： PAN C J (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHI G C (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  PONG B J (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  SHEU J K (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHEN J Y (National Central Univ., Taoyuan, TWN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 22  Issue： 4  Page： 1727-1730  Publication year： Jul. 2004 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0726877&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (3)： GaN ,  Si ,  拡散