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J-GLOBAL ID：200902272157316186   Reference number：06A1045584

Poly(2,5-bis(2-thienyl)-3,6-dialkylthieno[3,2-b]thiophene)s-High-Mobility Semiconductors for Thin-Film Transistors

ポリ(2,5-ビス(2-チエニル)-3,6-ジアルキルチエノ[3,2-b]チオフェン)-薄膜トランジスタ用の高移動度半導体

Author (6)： LI Yuning (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  WU Yiliang (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  LIU Ping (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  BIRAU Maria (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN) ,  PAN Hualong (McMaster Univ., ON, CAN) ,  ONG Beng S (Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
Material： Advanced Materials  (Adv Mater (Deerfield, Fla.))
Volume： 18  Issue： 22  Page： 3029-3032  Publication year： Nov. 17, 2006 
JST Material Number： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polymeric semiconductor ,...

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JST classification (3)： Physical properties of polymer solids  (CG02024U) ,  Electric conduction in organic compounds  (BM03045F) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： 2,5-Bis(5-bromo-2-thienyl)-3,6-bispentadecylthieno[3,2-b]thiophene

Terms in the title (4)： ビス ,  チオフェン ,  薄膜トランジスタ ,  高移動度