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J-GLOBAL ID：200902272511413607   Reference number：08A0887639

Deep-Trap Stress Induced Leakage Current Model for Nominal and Weak Oxides

薄くて弱い酸化膜の関係する深いトラップに関するストレス誘起の漏れ電流モデル

Author (4)： KAMOHARA Shiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  HU Chenming (Univ. California, CA, USA) ,  OKUMURA Tsugunori (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 8 Issue 1  Page： 6208-6213  Publication year： Aug. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOS structure ,  deep level ,  trapping center ,  leakage current ,  tunnel effect ,  defect density ,  Fowler-Nordheim tunneling ,  oxide film ,  electric field dependence ,  conversion coating film
Semi thesaurus term： voltage stress

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (30)：

• D. A. Baglee and M. C. Smayling: IEDM Tech. Dig., 1985, p. 624.
• K. Naruke, S. Taguchi, and M. Wada: IEDM Tech. Dig., 1988, p. 424.
• D. Ielmini, A. S. Spinelli, M. A. Rigamonti, and A. L. Lacatia: IEEE Trans. Electron Devices 47(2000)1258.
• M. Kato, N. Miyamoto, H. Kume, A. Satoh, T. Adachi, M. Ushiyama, and K. Kimura: IEDM Tech Dig., 1994, p. 45.
• G. H. Paker and C. A. Mead: Appl. Phys. Lett.14(1969)21.

Terms in the title (6)： 酸化膜 ,  トラップ ,  ストレス ,  誘起 ,  漏れ電流 ,  モデル