Art

J-GLOBAL ID：200902273841089560   Reference number：09A0231687

Impurity band structure of boron-doped homoepitaxial diamond

ホウ素ドープしたホモエピタキシャルダイヤモンドの不純物バンド構造

Author (3)： INUSHIMA Takashi (Tokai Univ., Hiratsuka, JPN) ,  MAMIN Rinat F. (Kazan Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., Kazan, RUS) ,  SHIOMI Hiromu (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 79  Issue： 4  Page： 045210.1-045210.6  Publication year： Jan. 2009 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor ,  *Diamond ,  plasma CVD ,  homoepitaxy ,  doping ,  boron ,  mesa structure ,  impurity level ,  *hopping conduction ,  *valence band ,  electrical conductivity ,  frequency dependence ,  temperature dependence ,  concentration dependence ,  equivalent circuit ,  Fermi level ,  electron-phonon interaction ,  phonon ,  optical phonon ,  *ore ,  *precious stone
Semi thesaurus term： variable range hopping

JST classification (2)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (3)： ホウ素 ,  ドープ ,  不純物バンド