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J-GLOBAL ID：200902274590541790   Reference number：03A0773179

Metastable GaAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy

分子ビームエピタクシーで成長させた準安定GaAsBi合金

Author (6)： YOSHIMOTO M (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  MURATA S (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  CHAYAHARA A (AIST Kansai, Osaka, JPN) ,  HORINO Y (AIST Kansai, Osaka, JPN) ,  SARAIE J (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  OE K (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 10B  Page： L1235-L1237  Publication year： Oct. 15, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： Vegard's law

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (10)：

• 1) K. Oe and H. Asai: Symp. Record Electronic Materials Symp., Izu-Nagaoka, 1995, p.191.
• 2) K. Oe and H. Asai: IEICE Trans. Electron. E79-C (1996) 1751.
• 3) K. Oe and H. Okamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1283.
• 4) K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2801.
• 5) S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei and F. Schiettekatte: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2245.

Terms in the title (2)： 分子ビームエピタクシー ,  成長