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J-GLOBAL ID：200902274767473570   Reference number：08A0580803

Adsorption and abstraction of atomic hydrogen on the Si(110) surfaces

Si(110)表面への原子状水素の吸着と抽出

Author (5)： KHAN A.r. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NARITA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NAMIKI A. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KATO A. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN) ,  SUEMITSU M. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 602  Issue： 11  Page： 1979-1986  Publication year： Jun. 01, 2008 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *wafer ,  *semiconductor material ,  *crystal face ,  *Hydrogen ,  *Adsorption ,  *extraction ,  deuterium ,  atom ,  chemical reaction ,  order of reaction ,  reaction kinetics ,  delay ,  desorption ,  labeling method ,  adatom ,  *atomic hydrogen ,  second order reaction ,  *Si wafer
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  profile ,  time delay ,  reactive dynamics

JST classification (3)： Surface chemistry in general  (CB12010J) ,  Reaction kinetics and catalyst in general  (CB06010G) ,  Labeled compounds  (CB10050N)

Terms in the title (3)： Si ,  原子状水素 ,  吸着