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J-GLOBAL ID：200902275569084475   Reference number：04A0323460

Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi₂ Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy

半導体BaSi₂薄膜に関するSi(111)基板上での分子ビームエピタクシーによるエピタキシャル成長

Author (4)： INOMATA Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA F (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 4A  Page： L478-L481  Publication year： Apr. 01, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (20)：

• 1) D. Leong, M. Harry, K. J. Reeson and K. P. Homewood: Nature 387 (1997) 686.
• 2) T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1013.
• 3) M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.
• 4) K. Radermacher, R. Carius and S. Mantl: Nucl. & Instrum. Methods Phys. Res. B <B>84</B> (1994) 163.
• 5) A. B. Filonov, V. E. Borisenko, W. Henrion and H. Lange: J. Lumin. 80 (1999) 479.

Terms in the title (4)： 薄膜 ,  Si ,  分子ビームエピタクシー ,  エピタキシャル成長