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J-GLOBAL ID：200902108046800270   Reference number：01A0059371

Room Temperature 1.6 μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi₂ Active Region.

β-FeSi₂活性領域のあるSiによる発光ダイオードからの室温1.6μmエレクトロルミネセンス

Author (4)： SUEMASU T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NEGISHI Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TAKAKURA K (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA F (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 39  Issue： 10B  Page： L1013-L1015  Publication year： Oct. 15, 2000 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (19)：

• 1) M. Förster, U. Mantz, S. Ramminger, K. Thonke, R. Sauer, H. Kibbel, F. Schöffler and H. J. Herzog: J. Appl. Phys. 80 (1996) 3017.
• 2) A. Richiter, P. Steiner, F. Kozlowski and W. Lang: IEEE Electron Device Lett. 12 (1991) 691.
• 3) H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki and T. Nakagiri: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 2379.
• 4) B. Zheng, J. Michel, F. Y. G. Ren, L. C. Kimerling, D. C. Jacobson and J. M. Poate: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2842.
• 5) M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.

Terms in the title (5)： 活性領域 ,  Si ,  発光ダイオード ,  室温 ,  エレクトロルミネセンス