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J-GLOBAL ID：200902275654683680   Reference number：09A0190648

ウェハボンディングによるGe/Siヘテロ接合形成とフォトダイオード特性

Author (3)： KAMBE HIROSHI (高知工科大 工) ,  MIYAJI MASAYUKI (高知工科大 工) ,  HIROSE MAMI (高知工科大 工)
Material： 高知工科大学紀要  (Research Bulletin. Kochi University of Technology)
Volume： 5  Issue： 1  Page： 153-160  Publication year： Dec. 26, 2008 
JST Material Number： L7194A  ISSN： 1348-4842  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *heterojunction ,  *silicon ,  *Germanium ,  avalanche photodiode ,  *photodiode ,  mesa structure ,  dark current ,  *quantum efficiency ,  transmission electron microscope ,  depletion layer ,  spectral sensitivity ,  impulse response ,  elemental analysis ,  electron microscopy ,  photocurrent ,  current-voltage characteristic ,  capacitance-voltage characteristic ,  infrared detector
Semi thesaurus term： *wafer bonding

JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Photodetectors  (NC03083X) ,  Other optical transmission devices  (BD06040S)

Terms in the title (7)： ウェハ ,  ボンディング ,  Ge ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  フォト ,  ダイオード特性