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J-GLOBAL ID：200902275901901482   Reference number：09A0537445

Formation and characterization of the Cu₂O overlayer on Zn-terminated ZnO(0001)

Zn終端ZnO(0001)上Cu₂O被覆層の形成とキャラクタリゼーション

Author (3)： OZAWA K. (Dep. of Chemistry and Materials Sci., Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  OBA Y. (Dep. of Chemistry, Rikkyo Univ., Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 171-8501, JPN) ,  EDAMOTO K. (Dep. of Chemistry, Rikkyo Univ., Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 171-8501, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 603  Issue： 13  Page： 2163-2170  Publication year： Jul. 01, 2009 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Zinc ,  termination ,  zinc oxide ,  *cuprous oxide ,  *overlayer ,  *characterization ,  low energy electron diffraction ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  synchrotron radiation ,  angle resolved spectroscopy ,  Photoelectron Spectroscopy ,  Copper ,  vapor deposition ,  cluster ,  surface terrace ,  Oxygen ,  annealing (heat treatment) ,  oxidation ,  preferred orientation ,  ordering ,  crystallinity ,  *valence band ,  energy dissipation ,  Fermi level ,  P-type semiconductor ,  crystal face ,  angle-resolved photoemission spectroscopy
Semi thesaurus term： angle-resolved photoemission spectroscopy

JST classification (3)： Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (6)： Zn ,  終端 ,  ZnO ,  Cu2O ,  被覆層 ,  キャラクタリゼーション