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J-GLOBAL ID：200902277324195398   Reference number：03A0532751

Effect of C/Si Ratio on Spiral Growth on 6H-SiC (0001)

6H-SiC上の螺旋状成長へのC/Si比の影響

Author (3)： NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 7B  Page： L846-L848  Publication year： Jul. 15, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： 6H-SiC ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Substance index (1)： Octafluoropropane

Reference (13)：

• 1) I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto and K. Izumi: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1137.
• 2) S. Nakamura, T. Kimoto and H. Matsunami: to be published in J. Cryst. Growth.
• 3) H. Matsunami, K. Shibahara, N. Kuroda, W. S. Yoo and S. Nishino: Springer Proc. in Physics 34 (1989) 34.
• 4) H. Matsunami and T. Kimoto: Mater. Sci. & Eng. <B>R20</B> (1997) 125.
• 5) T. Kimoto, H. Nishino, W. S. Yoo and H. Matsunami: J. Appl. Phys. 73 (1993) 726.

Terms in the title (4)： 6H-SiC ,  螺旋状 ,  成長 ,  SI比