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J-GLOBAL ID：200902278343991568   Reference number：03A0868958

Room-temperature electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs injection-type light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy

有機金属気相エピタクシーで成長したEr,OコドープGaAs注入型発光ダイオードに関する室温エレクトロルミネセンス特性

Author (6)： KOIZUMI A (Nagoya Univ., Nagoya Japan) ,  FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya Japan) ,  URAKAMI A (Nagoya Univ., Nagoya Japan) ,  INOUE K (Nagoya Univ., Nagoya Japan) ,  YOSHIKANE T (Nagoya Univ., Nagoya Japan) ,  TAKEDA A Y (Nagoya Univ., Nagoya Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 22  Page： 4521-4523  Publication year： Dec. 01, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  Er ,  GaAs ,  注入 ,  発光ダイオード ,  室温 ,  エレクトロルミネセンス