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J-GLOBAL ID：200902278571143658   Reference number：07A0777162

Low resistivity Ga-doped ZnO thin films of less than 100 nm thickness prepared by ion plating with direct current arc discharge

直流アーク放電を用いたイオンめっきにより調製した厚さ100nm以下の低抵抗GaドープZnO薄膜

Author (6)： YAMADA Takahiro (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  MIYAKE Aki (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  KISHIMOTO Seiichi (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  MAKINO Hisao (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  YAMAMOTO Naoki (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  YAMAMOTO Tetsuya (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 91  Issue： 5  Page： 051915-051915-3  Publication year： Jul. 30, 2007 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： 結晶配向

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (8)： 直流 ,  アーク放電 ,  イオンめっき ,  調製 ,  低抵抗 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO薄膜