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J-GLOBAL ID：200902280286865164   Reference number：03A0311301

低水素化アモルファスシリコン薄膜の作製とその特性

Author (5)： SHIMIZU SATOSHI (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  MIYAHARA HIROOMI (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  SHIMOSAWA MAKOTO (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  KONDO MICHIO (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  MATSUDA AKIHISA (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 50th  Issue： 2  Page： 994  Publication year： Mar. 27, 2003 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： hydrogenation ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： 水素化アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  作製