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J-GLOBAL ID：200902280640763978   Reference number：03A0875526

Characterization of amorphous-Si/1ML-Ge/Si(001) Interface Structure by X-ray Standing Waves

X線定在波による非晶質Si/1単層Ge/Si(001)界面構造の評価

Author (8)： NAKATANI S (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SUMITANI K (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  NOJIMA A (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TAKAHASHI T (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  HIRANO K (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN) ,  KOH S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IRISAWA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 11  Page： 7050-7052  Publication year： Nov. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,...
Semi thesaurus term： X-ray standing wave method

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (11)：

• 1) F. Schäffler: Semicond. Sci. Technol. 12 (1997) 1515.
• 2) B. W. Batterman and H. Cole: Rev. Mod. Phys. 36 (1964) 681.
• 3) M. Takahasi, S. Nakatani, T. Takahashi, X. Zhang, M. Ando, S. Fukatsu and Y. Shiraki: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 2278.
• 4) J. Falta, D. Bahr, G. Materlik, B. H. Müller and M. Horn-von Hoegen: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1394.
• 5) K. Nakajima, A. Konishi and K. Kimura: Phys. Rev. Lett. 83 (1999) 1802.

Terms in the title (8)： X線 ,  定在波 ,  非晶質Si ,  単層 ,  Ge ,  Si ,  界面構造 ,  評価