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J-GLOBAL ID：200902281027347925   Reference number：09A0822142

Direct detection of grain boundary scattering in damascene Cu wires by nanoscale four-point probe resistance measurements

ナノスケールの四点プローブ抵抗測定によって直接検出したダマシン銅ワイヤにおける結晶粒散乱

Author (6)： KITAOKA Yusuke (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  TONO Takeshi (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  YOSHIMOTO Shinya (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  HIRAHARA Toru (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  HASEGAWA Shuji (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  OHBA Takayuki (School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 95  Issue： 5  Page： 052110  Publication year： Aug. 03, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *precision measurement ,  *electrical resistivity ,  scale ,  *grain boundary ,  carrier scattering ,  carbon nanotube ,  chip ,  scanning tunneling microscope ,  semiconductor process ,  *copper
Semi thesaurus term： *four-terminal method ,  nanoscale ,  damascene interconnect

JST classification (1)： Electronic conduction in crystalline metals  (BM03033M)

Terms in the title (8)： ナノスケール ,  プローブ ,  抵抗測定 ,  ダマシン ,  銅 ,  ワイヤ ,  結晶粒 ,  散乱