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J-GLOBAL ID：200902282333488016   Reference number：09A1030385

Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation

界面酸化層変調と組み合わせたAl誘起結晶化による絶縁性基板上の配向制御されたSi薄膜

Author (4)： KUROSAWA Masashi (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KAWABATA Naoyuki (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  SADOH Taizoh (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 95  Issue： 13  Page： 132103  Publication year： Sep. 28, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *silicon ,  thin film growth ,  crystal orientation ,  substrate (plate) ,  transparent material ,  insulating material ,  crystal grain size (diameter) ,  solar cell ,  interface (surface) ,  oxidized layer ,  modulated structure ,  MBE growth ,  Aluminum ,  insulator ,  film solar cell

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： 界面 ,  酸化層 ,  変調 ,  Al ,  誘起 ,  結晶化 ,  絶縁性基板 ,  配向制御 ,  Si薄膜