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J-GLOBAL ID：200902283434497934   Reference number：05A0543053

Plane-wave synchrotron x-ray topography observation of grown-in microdefects in a slowly pulled CZ-silicon crystal

低速引き上げCZシリコン結晶中の成長微細欠陥の平面波シンクロトロンX線トポグラフィー観察

Author (8)： IIDA S (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  KAWADO S (Rigaku Corp., Tokyo, JPN) ,  MAEHAMA T (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  KAJIWARA K (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  KIMURA S (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  MATSUI J (Center for Advanced Sci. & Technol., Hyogo, JPN) ,  SUZUKI Y (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu-shi, JPN) ,  CHIKAURA Y (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu-shi, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 38  Issue： 10A  Page： A23-A27  Publication year： May. 21, 2005 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Czochralski method ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Terms in the title (10)： 低速 ,  引き上げ ,  シリコン結晶 ,  成長 ,  微細 ,  欠陥 ,  平面波 ,  シンクロトロン ,  X線トポグラフィー ,  観察