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J-GLOBAL ID：200902284017091190   Reference number：08A0424383

GaInNAsフォトニック結晶半導体レーザへ向けたAlGaAsの選択酸化

Author (7)： KAWANO TAKASUMI (大阪大 大学院) ,  MIYAJI TEPPEI (大阪大 大学院) ,  UEDA SHINJI (大阪大 大学院) ,  MOMOSE HIDEKI (大阪大 大学院) ,  MORIFUJI MASATO (大阪大 大学院) ,  ISHIKAWA FUMITARO (大阪大 大学院) ,  KONDO MASAHIKO (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 55th  Issue： 1  Page： 374  Publication year： Mar. 27, 2008 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor laser ,  *periodic structure ,  arsenide ,  nitride ,  gallium compound ,  indium compound ,  device structure ,  oxidation ,  compound semiconductor ,  *photonic crystal ,  preferential oxidation

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (5)： GaInNAs ,  フォトニック結晶 ,  半導体レーザ ,  AlGaAs ,  選択酸化