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J-GLOBAL ID：200902284309683552   Reference number：03A0552833

Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part II: Evolution of surface steps

化学的気相成長法によるほぼ軸上の(0001)面における6H-SiCNホモエピタクシー 第2部:表面ステップの変化

Author (3)： NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 256  Issue： 3/4  Page： 347-351  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： 化学的気相成長法 ,  ホモエピタクシー ,  表面ステップ