ダイヤモンドへのイオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用

KOIDE TAKASHI; ARAI TATSUYA; MEJIMA SOICHI; HIRAMA KAZUYUKI; SONG K. S.; FERRER D.; SHINADA TAKAHIRO; ODOMARI IWAO; KAWAHARADA HIROSHI; KAWAHARADA HIROSHI

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J-GLOBAL ID：200902284427395880 Reference number：06A0266716

ダイヤモンドへのイオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用

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Volume： 53rd Issue： 2 Page： 623 Publication year： Mar. 22, 2006
JST Material Number： Y0054A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Manufacturing technology of solid-state devices , Transistors

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