High-Performance Fully Depleted Silicon Nanowire (Diameter≦5nm) Gate-All-Around CMOS Devices

SINGH N.; AGARWAL A.; BERA L. K.; LIOW T. Y.; YANG R.; RUSTAGI S. C.; TUNG C. H.; KUMAR R.; LO G. Q.; BALASUBRAMANIAN N.; KWONG D.-L.

Art

J-GLOBAL ID：200902287504020842 Reference number：06A0384426

High-Performance Fully Depleted Silicon Nanowire (Diameter≦5nm) Gate-All-Around CMOS Devices

高性能完全空乏Siナノ細線(口径≦5nm)ゲート-オール-アラウンドCMOSデバイス

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Material：
Volume： 27 Issue： 5 Page： 383-386 Publication year： May. 2006
JST Material Number： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ Document type： Article
Article type：短報 Country of issue： United States (USA) Language： ENGLISH (EN)

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Transistors , Materials of solid-state devices

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