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J-GLOBAL ID：200902288726926595   Reference number：04A0589480

An Over 200-W Output Power GaN HEMT Push-Pull Amplifier with High Reliability

200W以上の出力電力,高信頼GaN HEMTプッシュプル増幅器

Author (9)： KIKKAWA T (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  MANIWA T (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI H (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KANAMURA M (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YOKOKAWA S (Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN) ,  NISHI M (Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN) ,  ADACHI N (Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN) ,  YOKOYAMA M (Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN) ,  TATENO Y (Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN)
Material： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium)
Volume： 2004  Issue： Vol.3  Page： 1347-1350  Publication year： 2004 
JST Material Number： A0636A  ISSN： 0149-645X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *push-pull amplifier ,...
Semi thesaurus term： AlGaN/GaN ,...

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JST classification (2)： Amplification circuits  (NC05040U) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (4)： 出力電力 ,  GaN ,  HEMT ,  プッシュプル増幅器