Art

J-GLOBAL ID：200902289166995657   Reference number：04A0094251

Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process

SON工程で実現した高性能二重ゲートMOSFET

Author (9)： HARRISON S (L2MP, Marseille, FRA) ,  CORONEL P (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  LEVERD F (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CERUTTI R (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  DELILLE D (Philips Semiconductors, Crolles, FRA) ,  BOREL S (CEA, Grenoble, FRA) ,  JULLIAN S (Philips Semiconductors, Crolles, FRA) ,  MUNTEANU D (L2MP, Marseille, FRA) ,  AUTRAN J-L (L2MP, Marseille, FRA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2003  Page： 449-452  Publication year： 2003 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： シリコン

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： SON ,  高性能 ,  二重ゲート ,  MOSFET