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J-GLOBAL ID：200902289449825235   Reference number：06A0716224

High Breakdown Voltage Achieved on AlGaN/GaN HEMTs With Integrated Slant Field Plates

集積傾きフィールドプレートを持つAlGaN/GaN・HEMTで達成された高破壊電圧

Author (6)： DORA Y. (Univ. California, CA, USA) ,  CHAKRABORTY A. (Univ. California, CA, USA) ,  MCCARTHY L. (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S. P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U. K. (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 27  Issue： 9  Page： 713-715  Publication year： Sep. 2006 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： AlGaN ,...

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Insulating materials  (NA04030W) ,  Other electric and electronic parts  (NA05090R)

Terms in the title (7)： 集積 ,  傾き ,  フィールドプレート ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  破壊電圧