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J-GLOBAL ID：200902290038206427   Reference number：09A0424137

RFスパッタリング法によるInSb/Al-Oナノグラニュラー薄膜の作製

Author (3)： USUI HIROYUKI (電気磁気材料研) ,  ABE SEISHI (電気磁気材料研) ,  ONUMA SHIGEHIRO (電気磁気材料研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 56th  Issue： 2  Page： 633  Publication year： Mar. 30, 2009 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium antimonide ,  compound semiconductor ,  *nano particle ,  *aluminum oxide ,  nanocomposites ,  RF sputtering ,  *sputtered deposition ,  nanostructure ,  nano crystal ,  amorphous state ,  composite film ,  *optical absorption spectrum ,  *optical gap ,  transmission electron microscope ,  electron microscopy
Semi thesaurus term： granular thin film

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Terms in the title (5)： RFスパッタリング ,  InSb ,  Al ,  グラニュラー薄膜 ,  作製