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J-GLOBAL ID：200902290816083648   Reference number：04A0062928

Preparation of Organic Photoreceptor Device with Planar a Configuration

横型構造を有する有機受光素子の作成

Author (4)： UEMURA SEI (産業技術総合研) ,  KAMATA TOSHIHIDE (産業技術総合研) ,  SAKAIDA RYOTA (理科大 工) ,  KAWAI TAKESHI (理科大 工)
Material： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： EFM-03  Issue： 28-34  Page： 7-10  Publication year： Dec. 12, 2003 
JST Material Number： Z0970A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photodetector ,...
Semi thesaurus term： photogalvanic effect

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JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (1)： Pentacene

Reference (5)：

• 斉藤民雄. 密着型イメージセンサと応用技術. 1988, 14
• UEMURA, S. Optimization of p/n Multilayer Structure of Organic Photoreceptor Device. Synth. Met. 2003, 137, 1481
• JAIN, S. C. Trap Filled Limit of Conducting Organic Materials. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7, 3752-3754
• HOTTA, S. Alkyl-substituted Oligothiophenes : Crystallographic and Spectroscopic Studies of Neutral and Doped Form. J. Mater. Chem. 1991, 1, 592
• KAMATA, T. Effect of Interfacial Structure on Field Effect Transistor. Hyomen. 2003, 24, 2, 69-76

Terms in the title (2)： 横型 ,  受光素子