Art

J-GLOBAL ID：200902290859235174   Reference number：09A1042654

Low resistive copper films deposited using the ion beam sputtering method with an ultra-high purity target

超高純度ターゲットを用いたイオンビームスパッタリング方法を用いて成膜した低抵抗銅薄膜

Author (2)： ONUKI Teppei (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KUWANO Hiroki (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
Material： Journal of Micromechanics and Microengineering  (J Micromech Microeng)
Volume： 19  Issue： 9  Page： 094017,1-6  Publication year： Sep. 2009 
JST Material Number： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ion beam sputtering ,  *copper ,  *metallic thin film ,  *thin film growth ,  target ,  electrical conductivity ,  metallization(IC) ,  MEMS ,  cross section(area) ,  grain boundary ,  electron cyclotron resonance heating ,  electrical resistivity
Semi thesaurus term： scattering cross section

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (6)： 高純度 ,  ターゲット ,  イオンビームスパッタリング ,  成膜 ,  低抵抗 ,  銅薄膜