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J-GLOBAL ID：200902290986550690   Reference number：06A0113841

Ultra-Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor for Plastic Substrate

プラスチック基板用の超低温ポリシリコン薄膜トランジスタ

Author (11)： KIM Do Young (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  KWON Jang-Yeon (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  JUNG Ji Sim (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  BAE Kyung (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  CHO Hans S. (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  LIM Huck (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  KIM Jong Man (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  YIN Huaxing (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  ZHANG Xiaoxin (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  NOGUCHI Takashi (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi) ,  NOGUCHI Takashi (Sungkyunkwan Univ., Kyunggi)
Material： Journal of the Korean Physical Society
Volume： 48  Issue： Supplementary 1  Page： S61-S63  Publication year： Jan. 31, 2006 
JST Material Number： T0357A  ISSN： 0374-4884  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Korea, Republic of (KOR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： プラスチック基板 ,  低温ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ