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J-GLOBAL ID：200902291841175774   Reference number：04A0196361

A new technique to fabricate ultra-shallow-junctions, combining in situ vapour HCl etching and in situ doped epitaxial SiGe re-growth

その場気相HClエッチングとその場ドープエピタキシャルSiGe再成長を組み合わせた極浅接合作製のための新技術

Author (9)： LOO R (IMEC, Leuven, BEL) ,  CAYMAX M (IMEC, Leuven, BEL) ,  MEUNIER-BEILLARD P (Philips Res. Leuven, Leuven, BEL) ,  PEYTIER I (IMEC, Leuven, BEL) ,  HOLSTEYNS F (IMEC, Leuven, BEL) ,  KUBICEK S (IMEC, Leuven, BEL) ,  VERHEYEN P (IMEC, Leuven, BEL) ,  LINDSAY R (IMEC, Leuven, BEL) ,  RICHARD O (IMEC, Leuven, BEL)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 224  Issue： 1/4  Page： 63-67  Publication year： Mar. 15, 2004 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon base alloy ,...

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 気相 ,  HCl ,  エッチング ,  SiGe ,  再成長 ,  極浅接合 ,  作製