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J-GLOBAL ID：200902292068741613   Reference number：07A0770974

Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) With Subthreshold Swing (SS) Less Than 60mV/dec

60mV/dec以下のサブしきい値変動(SS)を備えたトンネル電界効果トランジスタ(TFET)

Author (4)： CHOI Woo Young (Univ. California, CA, USA) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong Duk (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LIU Tsu-Jae King (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 28  Issue： 8  Page： 743-745  Publication year： Aug. 2007 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *threshold ,...
Semi thesaurus term： オンオフ電流比 ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Terms in the title (5)： DEC ,  サブしきい値 ,  SS ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  TFET