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J-GLOBAL ID：200902294532483161   Reference number：08A1270231

「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(8)」-照射効果の解明と耐照射材料および新素材開発をめざして-(c)新素材開発 高ドーズ鉄イオン注入シリコンの再結晶化過程

Author (2)： NAITO MUNEYUKI (大阪大 産科研) ,  ISHIMARU MANABU (大阪大 産科研)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 47  Issue： 12  Page： 640  Publication year： Dec. 01, 2008 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： ion implantation ,  *silicon ,  *recrystallization ,  *Iron ,  metal ion ,  single crystal ,  substrate (plate) ,  amorphous state ,  iron base alloy ,  silicon containing alloy ,  crystallization ,  phase transformation ,  heat treatment ,  grain boundary ,  grain boundary diffusion ,  silicide ,  alpha phase ,  beta phase ,  epsilon phase ,  iron compound ,  exposure radiation dose ,  advanced material

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (2)：

• NAITO, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 241905(1)-241905(3)
• NAITO, M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 251904(1)-251904(3)

Terms in the title (11)： 顕微鏡法 ,  開発 ,  微細構造 ,  研究 ,  照射効果 ,  新素材 ,  鉄イオン ,  注入 ,  シリコン ,  再結晶化 ,  過程