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J-GLOBAL ID：200902295324623169   Reference number：05A1022812

RF Diamond Transistors: Current Status and Future Prospects

RFダイヤモンドのトランジスタ:現在の状況と将来展望

Author (12)： UMEZAWA Hitoshi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  HIRAMA Kazuyuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ARAI Tatsuya (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HATA Hideo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI Hidenori (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOSHIBA Toru (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YOHARA Keiichiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  MEJIMA Soichi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SATOH Mitsuya (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SONG Kwang-Soup (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWARADA Hiroshi (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 11  Page： 7789-7794  Publication year： Nov. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *transistor ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (31)：

• FIELD, J. E. The Properties of Natural and Synthetic Diamond. 1992
• JOHNSON, E. O. RCA Rev. 1965, 26, 163
• KUNZE, M. Carbon. 1999, 37, 787
• MAKI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 1446
• HAYASHI, K. Appl. Phys. Lett. 1995, 68, 376

Terms in the title (5)： RF ,  ダイヤモンド ,  トランジスタ ,  状況 ,  将来展望