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J-GLOBAL ID：200902296654222906   Reference number：09A0347507

Effect of Surface Morphology of Reference Field Effect Transistor Modified by Octadecyltrimethoxysilane on Ionic Responses

オクタデシルトリメトキシシランにより改質した参照電界トランジスタの表面モルホロジーがイオン応答に及ぼす効果

Author (5)： KUROIWA Shigeki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  WANG Jinping (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SATAKE Daisuke (HORIBA, Ltd., Kyoto, JPN) ,  NOMURA Satoshi (HORIBA, Ltd., Kyoto, JPN) ,  OSAKA Tetsuya (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 156  Issue： 4  Page： J67-J72  Publication year： 2009 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *biosensor ,  *MOSFET ,  *surface modification ,  *surface quality ,  monomolecular layer ,  contact angle ,  pH ,  ionic strength ,  sensitivity(ratio) ,  photocurrent ,  pH dependence
Semi thesaurus term： self-assembled monolayer ,  detectivity

JST classification (1)： Analytical instruments  (CC02020S)

Substance index (1)： Octadecylsilane

Terms in the title (8)： オクタデシルトリメトキシシラン ,  改質 ,  参照 ,  電界 ,  トランジスタ ,  表面モルホロジー ,  イオン ,  応答